窒化ガリウム（GaN）、SiC（炭化ケイ素）ウェハ

窒化アルミニウム（AlN）ウェハー

リーズナブルな価格で高品質なAlNテンプレートを提供しております。

UVA・UVB・UVCを含む全波長帯のUV-LED製品を提供しております。さらに、エピタキシャルウェーハのカスタマイズ、チップの受託製造、半導体の試験・解析などの技術サービスも提供しています。

最新のグラフィカル基板技術に基づき、SinoGaN社はサファイア基板上に高品質なAlNテンプレートを開発しました。このエピタキシャルAlNの厚さは約3μmであり、XRDによる（002）面および（102）面のロッキングカーブの半値全幅（FWHM）はそれぞれ150 arcsec以下および250 arcsec以下です。単一原子ステップの表面粗さは、5×5μm2の範囲で0.1nm以下です。